研发中心

研发历史

　　公司在美国、台湾设有研发基地，充分利用中央大学和台湾工研院的人力、智力及设备资源进行技术革新及知识产权的开发，以及美国硅谷的信息及完善的IC产业基础进行正式投产前生产流程开发论证；2008年末，将8英寸SOI晶圆片生产制程完整地应用到公司生产线，进行新技术可行性试验和开发，并对该技术的工艺流程及产业化制程进行了论证和完善，为该技术在沈阳实施产业化打下了良好基础。2014年底，公司已经完成SOI晶圆片、外延片各系列产品的量产工作。

研发背景

　　公司主要技术来源为中国海外留学博士，熟悉和掌握SOI、SSOI晶圆片制造工艺和技术，其以自己专有的SOI晶圆片制造专利技术，在沈阳建立SOI晶圆片生产线，提供优质的SOI晶圆片。

知识产权

　　TM-SOI技术是专有的SOI晶圆片制造方法，可以实现第三代 “硅片键合和薄膜转移” 薄膜SOI晶圆片加工。
　　公司拥有TM-SOI自主知识产权和全套SOI晶圆片加工技术。